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分立半导体
NVD5490NLT4G参考图片

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NVD5490NLT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET DPAK 60V 17A 64MOHM
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数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.3392
43.392
100
¥2.8024
280.24
1,000
¥2.2487
2248.7
2,500
¥1.8871
4717.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
66 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
49 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
57 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
9.4 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，NVD5490NLT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSM200GB120DLC
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 1200V 200A DUAL
1:¥1,372.3624
5:¥1,339.3212
10:¥1,306.054
25:¥1,287.7593
参考库存:28257
DMA564070R
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VS-6CWQ06FNTRR-M3
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暂无价格
参考库存:28269
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