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分立半导体
DMNH6021SPDQ-13参考图片

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DMNH6021SPDQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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库存:3,908(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.4806
74.806
100
¥5.7517
575.17
500
¥5.0737
2536.85
1,000
¥4.0115
4011.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-C-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8.2 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20.1 nC, 20.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.4 ns, 5.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns, 6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.2 ns, 14.2 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns, 4.4 ns
单位重量
116 mg
商品其它信息
优势价格,DMNH6021SPDQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 1W 18V SMA
1:¥4.0002
10:¥2.4973
100:¥1.3334
500:¥1.08367
7,500:¥0.63054
22,500:查看
参考库存:11518
分立半导体
稳压二极管 150MW 3.3V
1:¥3.0736
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:7025
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XTSR NPN 50V
1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.43844
参考库存:12942
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V/60V/80V 1A NPN medium power trans
1:¥3.0736
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:9944
分立半导体
MOSFET 80V Mosfet N-Channel
1:¥4.4522
10:¥3.6838
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
1,500:¥1.4803
参考库存:7046
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