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分立半导体
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FDP10N60NZ

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库存：4,356(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
1,000
¥6.893
6893
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
640 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
185 W
配置
Single
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP10N60NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
14 S
下降时间
50 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 nS
典型接通延迟时间
25 nS
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP10N60NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N4238
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥364.764
250:¥340.4012
参考库存:50029
2N4857UB
Microsemi
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JFET JFET
100:¥519.5966
参考库存:50032
JANS2N2919L/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥1,149.7524
100:¥1,149.7524
参考库存:50035
JANTX1N5712UBCA
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Small-Signal Schottky
100:¥577.995
参考库存:50038
JANS1N4100D-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
50:¥1,145.9104
参考库存:50041
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