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分立半导体
IPB80N03S4L-02参考图片

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IPB80N03S4L-02

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.831
98.31
100
¥7.91
791
500
¥6.8704
3435.2
1,000
¥5.6952
5695.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPB80N03S4L02ATMA1 IPB8N3S4L2XT SP000273282
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB80N03S4L-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SBR12M120P5-13D
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 12A SBR 120Vrrm 300A Ifsm 0.75Vf
5,000:¥2.7007
参考库存:17428
MMBZ5251BT-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 150MW 22V
3,000:¥0.48364
9,000:¥0.43053
24,000:¥0.4068
参考库存:17431
DDZX9696TS-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE200MW 9.1V TRIPLE ISOLATED
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:6102
L0109NE
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 SEN TRIAC 1A 800V 10 10 10 10 MA
1:¥5.1528
10:¥3.8081
100:¥2.7459
500:¥2.3956
参考库存:17436
IDL08G65C5XUMA2
Infineon Technologies
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
1:¥28.6568
10:¥24.3628
100:¥21.131
250:¥20.0575
3,000:¥14.4414
6,000:查看
参考库存:17439
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