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分立半导体
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FDA33N25

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数量单价合计
1
¥16.4415
16.4415
10
¥13.9894
139.894
100
¥11.1418
1114.18
500
¥9.7632
4881.6
1,000
¥8.0682
8068.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
94 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
245 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FDA33N25
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
68 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
142 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
6.401 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
3EZ27DE3/TR12
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6,000:¥4.6895
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SE30AFBHM3/6B
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14,000:¥0.91417
28,000:¥0.83733
参考库存:28207
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