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分立半导体
NJVMJD41CT4G参考图片

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NJVMJD41CT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 6A 100V TR
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数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.6839
56.839
100
¥4.3618
436.18
500
¥3.8533
1926.65
1,000
¥3.0397
3039.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD41C
直流电流增益 hFE 最大值
75
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
1.75 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
NJVMJD41CT4G-VF01
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，NJVMJD41CT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF7904TRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 7.6A
1:¥6.6105
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.8307
1,000:¥3.0284
4,000:¥3.0284
参考库存:10666
IPG20N06S4L26AATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
1:¥7.2998
10:¥6.2828
100:¥4.8251
500:¥4.2601
5,000:¥2.9945
10,000:查看
参考库存:8895
T435-800B-TR
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 4A TRIACS
1:¥8.7575
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
2,500:¥3.5256
10,000:查看
参考库存:12784
IGW75N60H3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥60.3194
10:¥54.5564
25:¥52.0252
100:¥45.1096
参考库存:5097
FCP9N60N
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SupreMOS 9A
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.4469
500:¥10.0683
参考库存:5682
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