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分立半导体
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FQPF8N80C

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数量单价合计
1
¥19.5942
19.5942
10
¥16.6788
166.788
100
¥13.3679
1336.79
500
¥11.6842
5842.1
1,000
¥9.6841
9684.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
1.55 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
59 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.07 mm
长度
10.36 mm
系列
FQPF8N80C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5.6 S
下降时间
70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
FQPF8N80C_NL
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格，FQPF8N80C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
80SQ045NRLG
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8A 45V
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.2035
1,500:¥2.2035
参考库存:15295
MJ4502G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30A 100V 200W PNP
1:¥50.0251
10:¥45.1774
50:¥43.1095
100:¥37.4256
参考库存:3790
BAT54KFILM
STMicroelectronics
分立半导体
肖特基二极管与整流器 schottky diode
1:¥2.9945
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:42351
TPN4R303NL,L1Q
Toshiba
分立半导体
MOSFET U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET
1:¥7.2998
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
5,000:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:11907
STPS30SM100SG-TR
STMicroelectronics
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V 30A
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
1,000:¥8.8366
参考库存:9277
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