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分立半导体
SI2329DS-T1-GE3参考图片

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SI2329DS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -8V Vds 5V Vgs SOT-23
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1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.6838
36.838
100
¥2.8024
280.24
500
¥2.3052
1152.6
1,000
¥1.8419
1841.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
19.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
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