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分立半导体
FQPF30N06L参考图片

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FQPF30N06L

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数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.5088
650.88
500
¥5.7517
2875.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
22.5 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.07 mm
长度
10.36 mm
系列
FQPF30N06L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
110 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
210 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FQPF30N06L_NL
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格,FQPF30N06L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥2.7798
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1,000:¥1.3108
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1:¥2.9945
10:¥2.0001
100:¥0.97632
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5,000:¥0.43053
10,000:查看
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1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥1.1978
500:¥0.96841
3,000:¥0.65314
6,000:查看
参考库存:17197
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