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分立半导体
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MJE15031

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 120Vcbo 120Vceo 5.0Vebo 8.0A 2.0W
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数量单价合计
1
¥13.2888
13.2888
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 150 V
集电极—基极电压 VCBO
- 150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
- 8 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
- 8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
400
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT13003SZTR-G1
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
2,000:¥0.56839
10,000:¥0.50737
24,000:¥0.47686
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5,000:¥1.7628
10,000:¥1.7063
25,000:¥1.6385
50,000:¥1.6159
参考库存:27952
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4,000:¥4.1358
5,000:¥3.9211
10,000:¥3.7855
25,000:¥3.6612
参考库存:27961
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