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分立半导体
PMZ350UPEYL参考图片

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PMZ350UPEYL

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.599
25.99
100
¥1.1865
118.65
1,000
¥0.91417
914.17
10,000
¥0.71416
7141.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
940 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.5 mm
长度
1.02 mm
产品
MOSFET
类型
Trench MOSFET
宽度
0.62 mm
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
1.4 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
0.800 mg
商品其它信息
优势价格，PMZ350UPEYL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZG03B150-HM3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5594
12,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
参考库存:33208
FZ1800R12HE4_B9
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 1200V 1800A
1:¥6,357.5156
5:¥6,255.9286
参考库存:33211
BZG03B82-HM3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5594
12,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
参考库存:33214
1N4753APE3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.198
4,500:¥5.0059
9,000:¥4.8025
参考库存:33217
SIHP6N65E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥16.6788
10:¥13.8312
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:33220
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