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分立半导体
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FQD19N10TM

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库存:5,159(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.6161
56.161
100
¥3.6273
362.73
1,000
¥2.9041
2904.1
2,500
¥2.4521
6130.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
15.6 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD19N10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
零件号别名
FQD19N10TM_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FQD19N10TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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22,500:¥0.5989
45,000:¥0.53788
97,500:¥0.49946
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24,000:¥0.83733
45,000:¥0.80682
99,000:¥0.77631
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