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分立半导体
VNP35N07-E参考图片

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VNP35N07-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 70V 35A OmniFET
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库存：4,181(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.5045
33.5045
10
¥28.5099
285.099
100
¥24.6679
2466.79
250
¥23.4362
5859.05
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Qg-栅极电荷
100 nC
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
VNP35N07-E
晶体管类型
1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET
类型
MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
200 ns, 4.3 us
产品类型
MOSFET
上升时间
350 ns, 2.7 us
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
650 ns, 10 us
典型接通延迟时间
100 ns, 500 us
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，VNP35N07-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-ST180C20C1
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 350 Amp 2000 Volt 660 Amp IT(RMS)
12:¥901.9434
36:¥882.9707
60:¥870.439
108:¥838.8668
参考库存:35404
JANTXV1N4624D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥134.3909
107:¥134.3909
200:¥122.5598
500:¥114.6498
参考库存:35407
VS-SD300N28PC
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 2800 Volt 380 Amp
12:¥844.6298
36:¥816.5041
60:¥805.2832
108:¥760.2527
参考库存:35410
1N3155A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥110.4236
200:¥100.6604
500:¥94.2081
1,000:¥86.3659
参考库存:35413
FS150R17KE3G
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 1700V 150A 3-PHASE
4:¥2,771.1555
8:¥2,604.1076
参考库存:35416
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