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分立半导体
IPB100N08S2-07参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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IPB100N08S2-07

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
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库存:3,199(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.2892
21.2892
10
¥18.0574
180.574
100
¥14.4414
1444.14
500
¥12.6786
6339.3
1,000
¥10.5316
10531.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
7.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
51 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
IPB100N08S207ATMA1 IPB1N8S27XT SP000219044
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB100N08S2-07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET PCH 4.5V DRIVE SERIES
1:¥24.973
10:¥21.2101
100:¥18.3625
250:¥17.4472
500:¥15.6731
3,000:¥15.6731
参考库存:7437
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:19393
分立半导体
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:9347
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
2,500:¥3.4578
参考库存:8028
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
5,000:¥2.9154
参考库存:15894
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