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分立半导体
IPB100N08S2-07参考图片

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IPB100N08S2-07

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
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库存：3,199(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.2892
21.2892
10
¥18.0574
180.574
100
¥14.4414
1444.14
500
¥12.6786
6339.3
1,000
¥10.5316
10531.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
7.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
51 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
IPB100N08S207ATMA1 IPB1N8S27XT SP000219044
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB100N08S2-07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-VSKT142/08PBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 800 Volt 140 Amp
15:¥578.7634
30:¥560.1636
60:¥552.6378
105:¥522.8171
参考库存:36211
EGL34CHE3_A/H
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 0.5A,150V,50NS AEC-Q101 Qualified
10,000:¥0.92208
25,000:¥0.84524
参考库存:36214
BZG03C75-HM3-18
Vishay
分立半导体
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6,000:¥1.2882
12,000:¥1.1978
24,000:¥1.1413
参考库存:36217
1N4749CPE3/TR8
Microsemi
分立半导体
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1,500:¥6.328
4,500:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:36220
VS-GB50LP120N
Vishay Semiconductors
分立半导体
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
暂无价格
参考库存:36223
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