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分立半导体
BFP 740ESD H6327参考图片

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BFP 740ESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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库存:6,751(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.2996
32.996
100
¥2.0114
201.14
1,000
¥1.5481
1548.1
3,000
¥1.3334
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP740
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.2 V
集电极连续电流
45 mA
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT343-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
400
工作频率
45 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP740ESDH6327XTSA1 BFP74ESDH6327XT SP000785486
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 740ESD H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 40V Vds 12V Vgs SOT-23
1:¥3.3787
10:¥2.26
100:¥1.5255
500:¥1.2204
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.92208
参考库存:78701
分立半导体
IGBT 模块 EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC
1:¥2,314.4999
5:¥2,258.7909
参考库存:1109
分立半导体
IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
2,500:¥5.0059
10,000:查看
参考库存:1286
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
4,000:¥1.8758
参考库存:20216
分立半导体
MOSFET N-CHAN 80V 17A
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6724
1,500:¥1.6724
参考库存:6715
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