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分立半导体
SIHG22N50D-GE3参考图片

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SIHG22N50D-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存：2,673(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.5725
37.5725
10
¥31.1202
311.202
100
¥25.6623
2566.23
250
¥24.8148
6203.7
500
¥22.2836
11141.8
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
312 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
D
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
21 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHG22N50D-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SZMM5Z3V0T1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SOD523
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:10787
DTC043ZMT2L
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Digital TR NPN
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
8,000:¥0.26894
24,000:查看
参考库存:12266
BZX79-C2V4,113
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥0.99892
10:¥0.88366
100:¥0.31527
1,000:¥0.20792
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:18122
MUR1660CTG
ON Semiconductor
分立半导体
整流器 600V 16A UltraFast
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5879
500:¥5.8195
参考库存:5729
BZX84J-C16,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:10772
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