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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-263-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	55 V
Id-连续漏极电流	122 A
Rds On-漏源导通电阻	10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4.4 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	124 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	300 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	4.5 mm
长度	10.3 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel TrenchMOS Standard Level FET
宽度	9.4 mm
商标	Nexperia
下降时间	95 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	117 ns
工厂包装数量	800
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	132 ns
典型接通延迟时间	33 ns

商品其它信息

优势价格，BUK7610-55AL,118的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTA123YCAT116	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor	1:¥1.695 10:¥1.1413 100:¥0.47686 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.25312	参考库存:11011
STD12N65M2	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package	1:¥11.6842 10:¥9.9892 100:¥7.684 500:¥6.8026 2,500:¥4.7686 10,000:查看	参考库存:6767
STTH30S12W	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	整流器 Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier	1:¥22.8938 10:¥19.436 100:¥16.8257 250:¥15.9782 500:¥14.3736	参考库存:5246
SQD50P08-25L_GE3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified	1:¥21.5943 10:¥19.5151 100:¥15.6731 500:¥12.1362 2,000:¥8.9948 4,000:查看	参考库存:29635
NVMFD5875NLT1G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3	1:¥7.8422 10:¥6.7461 100:¥5.1867 500:¥4.5765 1,500:¥3.2092 9,000:查看	参考库存:7311