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分立半导体
CSD19503KCS参考图片

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CSD19503KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0399
3519.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
9.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19503KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
110 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，CSD19503KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N6338
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥114.4916
250:¥104.3442
500:¥97.6659
1,000:¥89.5977
参考库存:36536
1N4776
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
100:¥447.5139
参考库存:36539
3EZ10D5/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.9212
4,500:¥5.7065
9,000:¥5.4805
参考库存:36542
1N3037BUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥111.5762
250:¥101.7339
500:¥95.2025
1,000:¥87.2925
参考库存:36545
1N4986US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥90.9763
200:¥82.9081
500:¥77.6084
1,000:¥71.1561
参考库存:36548
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