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分立半导体
NST3946DXV6T1G参考图片

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NST3946DXV6T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Switching NPN & PNP
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库存:21,796(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.0905
20.905
100
¥0.89948
89.948
1,000
¥0.69156
691.56
4,000
¥0.52206
2088.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V, 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
- 0.4 V, 0.3 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
250 MHz, 300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NST3946DXV6
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.2 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
357 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,NST3946DXV6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SWITCHING DIODE 75 V
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:10887
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥277.0082
5:¥264.5556
10:¥256.2614
25:¥235.5146
参考库存:4899
分立半导体
肖特基二极管与整流器 WL CSP Low VF 40V Schottky Diode
1:¥4.0002
10:¥2.8476
100:¥1.8645
500:¥1.10627
1,000:¥0.62263
参考库存:29416
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥401.489
5:¥389.3528
10:¥377.8946
25:¥354.3115
参考库存:4941
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650 V, 8 A 2-lead SiC
1:¥40.1828
10:¥32.2728
100:¥29.4252
250:¥26.5889
参考库存:5417
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