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分立半导体
HGTG30N60B3参考图片

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HGTG30N60B3

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数量单价合计
1
¥37.8776
37.8776
10
¥32.1937
321.937
100
¥27.8884
2788.84
250
¥26.5098
6627.45
500
¥23.7413
11870.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
208 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG30N60B3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
60 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG30N60B3_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG30N60B3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Sgl 3.3V 150mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
8,000:¥0.23843
24,000:查看
参考库存:17618
分立半导体
稳压二极管 12 Volt 0.5W 1%
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:13212
分立半导体
稳压二极管 ZEN REG 0.5W 36V
1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:12423
分立半导体
稳压二极管 300mW 6.8V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:24070
分立半导体
稳压二极管 ZEN REG .225W 5.1V
1:¥1.695
10:¥1.11418
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:21478
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