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分立半导体
NTMD6N02R2G参考图片

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NTMD6N02R2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET 20V 0.035R TR
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库存:5,041(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
2,500
¥1.8758
4689.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.07 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5 mm
系列
NTMD6N02
晶体管类型
2 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
60 ns, 80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns, 50 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
11 ns, 12 ns
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格,NTMD6N02R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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22,500:¥0.72207
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99,000:¥0.43053
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