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分立半导体
FGH25T120SMD-F155参考图片

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FGH25T120SMD-F155

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库存:2,291(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.8834
40.8834
10
¥34.7362
347.362
100
¥30.1258
3012.58
250
¥28.589
7147.25
500
¥25.6623
12831.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247G03-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH25T120SMD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH25T120SMD_F155
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH25T120SMD-F155的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFET - Pb Free
1:¥50.7144
10:¥45.2565
25:¥40.7252
50:¥38.8833
参考库存:28099
分立半导体
整流器
1:¥51.0986
10:¥46.0249
25:¥41.9569
100:¥37.8776
200:¥34.804
参考库存:28102
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥178.9581
10:¥162.6748
25:¥150.4482
50:¥142.3122
参考库存:28105
分立半导体
稳压二极管 D MET 1A STD 200V
1:¥75.6083
10:¥68.0034
25:¥62.0144
100:¥55.935
参考库存:28108
分立半导体
整流器 UFR,FRR
1:¥87.2925
10:¥78.6028
25:¥71.6194
100:¥64.6247
参考库存:28111
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