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分立半导体
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MJD128T4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 BIP PNP 8A 120V TR
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.0793
40.793
100
¥2.6329
263.29
1,000
¥2.1018
2101.8
2,500
¥1.7741
4435.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
最大直流电集电极电流
8 A
最大集电极截止电流
10 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD128
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
351 mg
商品其它信息
优势价格，MJD128T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DB3X316N0L
Panasonic
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.43844
6,000:¥0.43844
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
45,000:¥0.28476
参考库存:36400
APT10035LLLG
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥315.9706
5:¥305.3599
10:¥295.4498
25:¥273.2453
参考库存:1463
IRG7PH35UDPBF
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A
1:¥57.9351
10:¥52.3303
25:¥49.8669
100:¥43.3355
参考库存:1567
VS-CPU6006-N3
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 Freds - TO-247-e3
1:¥27.3573
10:¥22.6678
100:¥18.6676
250:¥18.0574
500:¥16.2155
参考库存:1692
BZX84J-B47,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 47V 2% 550mW 2-Pin
1:¥2.8476
10:¥1.808
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:13106
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