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分立半导体
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FGAF20N60SMD

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库存：2,230(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
62.5 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGAF20N60SMD
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
360
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，FGAF20N60SMD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N4119C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥99.2027
200:¥90.4452
500:¥84.6031
1,000:¥77.6084
参考库存:34489
JAN1N4616CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥122.1756
200:¥111.418
500:¥104.1973
参考库存:34492
SET010104
Semtech
分立半导体
整流器 A 1PHHW 15A FAST 400V
10:¥1,149.2213
参考库存:34495
JAN1N965DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥103.96
200:¥94.7392
500:¥88.6711
1,000:¥81.2922
参考库存:34498
JAN1N5622US/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥93.9708
250:¥85.7557
500:¥80.2187
1,000:¥73.5404
参考库存:34501
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