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分立半导体
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KSE45H11TU

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1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.8364
48.364
100
¥3.1301
313.01
1,000
¥2.4973
2497.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 1 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
40 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSE45H
高度
9.4 mm
长度
10.1 mm
封装
Tube
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，KSE45H11TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-VSKT142/08PBF
Vishay Semiconductors
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SCR模块 800 Volt 140 Amp
15:¥578.7634
30:¥560.1636
60:¥552.6378
105:¥522.8171
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EGL34CHE3_A/H
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10,000:¥0.92208
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BZG03C75-HM3-18
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6,000:¥1.2882
12,000:¥1.1978
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参考库存:36220
VS-GB50LP120N
Vishay Semiconductors
分立半导体
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
暂无价格
参考库存:36223
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