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分立半导体
2N6039G参考图片

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2N6039G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN
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库存:3,931(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.6443
46.443
100
¥2.9945
299.45
1,000
¥2.3956
2395.6
2,500
¥2.147
5367.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225AA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6039
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
15000
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 500, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,2N6039G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 TO-247 Ultra Fast
1:¥45.7989
10:¥38.8833
100:¥33.7305
250:¥32.0468
500:¥28.7359
参考库存:6901
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.684
2,500:¥5.9438
5,000:查看
参考库存:6485
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
50:¥337.3276
100:¥291.766
250:¥274.2397
参考库存:3905
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
2,500:¥6.0229
5,000:查看
参考库存:21036
分立半导体
MOSFET N-CH Mosfet 60V 150A 8DSOP
1:¥13.9894
10:¥11.30
100:¥8.9948
500:¥7.91
5,000:¥5.8421
10,000:查看
参考库存:11641
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