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分立半导体
FF450R07ME4_B11参考图片

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FF450R07ME4_B11

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库存:1,651(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,086.3594
1086.3594
5
¥1,065.0024
5325.012
10
¥1,015.3615
10153.615
25
¥994.0045
24850.1125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
560 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
1450 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R07ME4B11BOSA1 SP000725482
商品其它信息
优势价格,FF450R07ME4_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 BYC20X-600P/TO-220F/STANDARD M
5,000:¥4.0906
10,000:¥3.9437
参考库存:26234
分立半导体
桥式整流器 20A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGE
1,000:¥10.2152
2,500:¥9.5259
5,000:¥9.1417
10,000:¥8.8366
参考库存:26237
分立半导体
SCR Thyristors - TO-118 COMP RND-e3
6:¥1,522.2795
12:¥1,484.4697
30:¥1,463.6438
参考库存:26240
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥3.9776
6,000:¥3.8985
9,000:¥3.8307
24,000:¥3.5369
参考库存:26243
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.0059
9,000:¥4.8251
参考库存:26246
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