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分立半导体
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BSD235NH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
950 mA
Rds On-漏源导通电阻
266 mOhms, 266 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
320 pC, 320 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2 S, 2 S
下降时间
1.2 ns, 1.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns, 3.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.5 ns, 4.5 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns, 3.8 ns
零件号别名
BSD235N H6327 SP000917652
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格，BSD235NH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS1N4126CUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
50:¥1,171.8891
参考库存:53232
1N4928/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥373.4424
200:¥352.5374
参考库存:53235
2EZ62D5/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥9.831
8,000:¥9.2999
参考库存:53238
JANTX1N5530DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥304.2864
200:¥284.0029
参考库存:53241
JANS1N821-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
50:¥769.0102
100:¥752.3427
参考库存:53244
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