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分立半导体
R6009ENJTL参考图片

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R6009ENJTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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库存:2,528(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.8258
18.8258
10
¥15.9782
159.782
100
¥12.7577
1275.77
500
¥11.2209
5610.45
1,000
¥9.2999
9299.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
Super Junction-MOS EN
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
R6009ENJ
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,R6009ENJTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥27.8206
10:¥24.8148
100:¥20.3626
250:¥19.3682
3,000:¥12.8368
参考库存:4543
分立半导体
SCR模块
1:¥681.8759
5:¥669.3555
10:¥639.2297
25:¥617.8727
参考库存:2010
分立半导体
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
1:¥11.1418
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.4636
4,000:¥4.5313
8,000:查看
参考库存:9620
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V 5A
1:¥6.3732
10:¥5.424
100:¥4.1697
500:¥3.6838
1,000:¥2.9041
3,000:¥2.9041
参考库存:32168
分立半导体
双向可控硅 RAIL 3Q TRIAC
1:¥11.526
10:¥9.5259
100:¥7.2772
500:¥6.4297
参考库存:6847
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