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分立半导体
PMZB350UPE,315参考图片

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PMZB350UPE,315

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.3221
132.21
1,000
¥0.99101
991.01
10,000
¥0.79891
7989.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1006B-3
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
940 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
715 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
1.4 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
0.690 mg
商品其它信息
优势价格，PMZB350UPE,315的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1PMT5936B/TR7
Microsemi
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稳压二极管 Voltage Regulator
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Microsemi
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2,400:¥1.6272
6,000:¥1.3108
12,000:¥0.92999
参考库存:52327
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