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分立半导体
IRFU210PBF参考图片

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IRFU210PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET I-PAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
IRFR/U
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
0.8 S
下降时间
8.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
8.2 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,IRFU210PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.458
1,000:¥6.1698
参考库存:4773
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
4,000:¥1.01474
参考库存:8425
分立半导体
MOSFET MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8704
1,000:¥5.4127
参考库存:2875
分立半导体
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.5032
500:¥6.4523
1,000:¥5.0963
3,000:¥5.0963
参考库存:8152
分立半导体
MOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8873
250:¥5.8873
500:¥5.198
参考库存:2590
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