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分立半导体
SQM120N02-1M3L_GE3参考图片

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SQM120N02-1M3L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存：5,475(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥17.8314
178.314
100
¥14.6787
1467.87
250
¥14.2154
3553.85
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
290 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Tube
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
252 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，SQM120N02-1M3L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4910A
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
100:¥505.7654
参考库存:27310
1N6019B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
455:¥15.594
500:¥13.9894
1,000:¥11.752
2,500:¥11.1418
5,000:¥10.2152
参考库存:27313
1N3012A
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥201.5468
250:¥184.9584
500:¥176.0427
参考库存:27316
STU6N60M2
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
参考库存:27319
JANTXV1N4620UR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥142.0749
10:¥129.1703
25:¥119.4862
50:¥113.0339
参考库存:27322
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