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分立半导体
STGW40H65FB参考图片

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STGW40H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
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库存:4,939(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.4937
43.4937
10
¥36.9623
369.623
100
¥32.0468
3204.68
250
¥30.4309
7607.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW40H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 600V/50A FAST IGBT FSII T
1:¥49.8669
10:¥42.4202
100:¥36.725
250:¥34.8831
参考库存:1207
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
参考库存:3998
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE AXIAL
1:¥0.92208
10:¥0.791
100:¥0.28476
1,000:¥0.1921
10,000:¥0.12317
20,000:查看
参考库存:10941
分立半导体
稳压二极管 300mW 3.6V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:11880
分立半导体
稳压二极管 500mW ZENER
1:¥1.695
10:¥1.13
100:¥0.5537
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:3560
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