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分立半导体
IPB031NE7N3 G参考图片

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IPB031NE7N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥22.6678
22.6678
10
¥19.2891
192.891
100
¥16.7466
1674.66
250
¥15.8313
3957.825
1,000
¥11.9893
11989.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
117 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
75 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
85 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPB031NE7N3GATMA1 IPB31NE7N3GXT SP000641730
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB031NE7N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 200mW 5.6V
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:2722
分立半导体
稳压二极管 12 Volt 0.5 Watt 2%
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66896
500:¥0.56839
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:9732
分立半导体
整流器 3A 100V 100A@8.3ms Single Die Auto
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥2.1922
500:¥1.7967
850:¥1.3899
参考库存:3538
分立半导体
稳压二极管 T MET BI 500W 7V5
1:¥122.0174
10:¥110.9547
25:¥102.6605
50:¥97.0444
参考库存:2284
分立半导体
稳压二极管 6.2V 500mW
1:¥1.695
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:33809
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