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分立半导体
IPB35N10S3L-26参考图片

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IPB35N10S3L-26

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
1,000
¥5.198
5198
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
20.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N1S3L26XT SP000776044
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB35N10S3L-26的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX384-B36,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.59212
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.31527
参考库存:10894
D3Z12BF-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 400mW 11.99V Zener ZENER DIODE
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:10377
MMBZ5228BLT1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3.9V 225mW
1:¥1.1526
10:¥1.01474
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.18419
参考库存:36635
DMP210DUFB4-7B
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:14302
TZX3V9C-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 0.5W 2%
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:39422
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