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分立半导体
SIHP14N50D-GE3参考图片

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SIHP14N50D-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:5,102(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.6678
22.6678
10
¥18.8258
188.258
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.7577
6378.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
D
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP14N50D-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1,000:¥6.3506
2,000:¥5.9212
5,000:¥5.7065
10,000:¥5.4805
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800:¥7.684
2,400:¥7.1642
4,800:¥6.9043
9,600:¥6.6331
参考库存:28465
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