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分立半导体
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FQP10N20C

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库存：5,238(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.458
74.58
100
¥5.7291
572.91
500
¥5.0511
2525.55
1,000
¥4.0002
4000.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
72 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP10N20C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5.5 S
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
92 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FQP10N20C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N1353
Microsemi
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稳压二极管 Std Rectifier
100:¥214.3045
250:¥196.7104
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7,500:¥1.2317
10,000:¥1.1413
25,000:¥1.08367
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1,000:¥1.2091
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1:¥34.2729
10:¥30.5778
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50:¥26.2838
参考库存:27649
RJP60D0DPK-00#T0
Renesas Electronics
分立半导体
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1:¥24.3628
10:¥21.7412
25:¥19.5942
50:¥18.6676
参考库存:27652
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