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分立半导体
FDP86363-F085参考图片

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FDP86363-F085

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库存:4,482(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.5154
25.5154
10
¥21.6734
216.734
100
¥18.7467
1874.67
250
¥17.8314
4457.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
131 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP86363_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
129 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
38 ns
零件号别名
FDP86363_F085
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP86363-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET PCH 4.5V DRIVE SERIES
1:¥24.973
10:¥21.2101
100:¥18.3625
250:¥17.4472
500:¥15.6731
3,000:¥15.6731
参考库存:7437
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:19393
分立半导体
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:9347
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
2,500:¥3.4578
参考库存:8028
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
5,000:¥2.9154
参考库存:15894
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