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分立半导体
2N930B参考图片

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2N930B

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
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库存:5,126(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥11.0627
110.627
100
¥8.9157
891.57
500
¥7.7631
3881.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
增益带宽产品fT
45 MHz
系列
2N930
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
5.33 mm
长度
5.84 mm
封装
Bulk
宽度
5.84 mm
商标
Central Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N930B PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N930B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 25A, 600V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
1:¥27.5833
10:¥23.6622
100:¥18.5207
200:¥16.5997
参考库存:18517
分立半导体
分立半导体模块 160A, 1600V Thyristor Module
10:¥320.1968
30:¥305.7441
50:¥301.2128
100:¥289.2235
200:¥286.1499
参考库存:18520
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DIGI -200MA/-30V
1:¥2.9154
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:18523
分立半导体
分立半导体模块 Power MOSFET - MOS5
1:¥642.9248
5:¥622.7882
10:¥603.8833
25:¥576.6842
参考库存:18526
分立半导体
桥式整流器 35A, 200V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
1:¥27.8206
10:¥24.1255
50:¥19.5151
100:¥16.7466
500:¥14.0572
参考库存:18529
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