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分立半导体
SQJ956EP-T1_GE3参考图片

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SQJ956EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:7,054(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.91
7.91
10
¥6.4975
64.975
100
¥4.9833
498.33
500
¥4.2827
2141.35
1,000
¥3.3787
3378.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
22.3 mOhms, 22.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC, 30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
19 S, 19 S
下降时间
6 ns, 6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns, 11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns, 24 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 8 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJ956EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode (Rectifier FRD) 150V-VRM 150V-VR 1A-IO 30A-IFSM Single
1:¥3.9211
10:¥3.2544
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.3108
参考库存:16992
分立半导体
整流器 1A,800V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1:¥2.9154
10:¥2.3052
100:¥1.5707
500:¥1.07576
5,000:¥0.72207
10,000:查看
参考库存:16995
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY 110V 30A 3PIN 3+TAB
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0173
参考库存:16998
分立半导体
MOSFET Nch+Nch 30V 7A MOSFET
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4014
2,500:¥3.7855
10,000:查看
参考库存:17001
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.64523
24,000:查看
参考库存:17004
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