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分立半导体
SIHF12N60E-GE3参考图片

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SIHF12N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存:4,762(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.6734
21.6734
10
¥17.9783
179.783
100
¥13.9894
1398.94
500
¥12.2153
6107.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHF12N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管
100:¥17.6732
404:¥17.6732
500:¥15.8313
1,000:¥13.3679
2,500:¥12.6786
参考库存:27145
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.4012
12,000:¥1.3108
24,000:¥1.243
参考库存:27148
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D2PAK-e3
800:¥10.5316
1,600:¥8.6784
3,200:¥8.1473
5,600:¥7.8422
参考库存:27151
分立半导体
桥式整流器 12A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGE
1,000:¥7.91
2,500:¥7.3337
5,000:¥7.0738
10,000:¥6.7913
参考库存:27154
分立半导体
稳压二极管 1.5W,22V 5%,SMB ZENER
7,500:¥0.94468
9,750:¥0.88366
24,750:¥0.81473
参考库存:27157
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