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分立半导体
APT75GT120JU3参考图片

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APT75GT120JU3

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:3,945(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥324.0388
324.0388
5
¥313.123
1565.615
10
¥302.9078
3029.078
25
¥280.1609
7004.0225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
416 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT75GT120JU3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
5,000:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:26188
分立半导体
MOSFET 60V 110A 375W
1:¥28.3517
10:¥23.5153
100:¥19.3682
250:¥18.7467
800:¥18.7467
参考库存:13156
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 40V 2A
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1865
1,500:¥1.1865
参考库存:4214
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:14144
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:10161
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