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分立半导体
APT75GT120JU3参考图片

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APT75GT120JU3

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:3,945(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥324.0388
324.0388
5
¥313.123
1565.615
10
¥302.9078
3029.078
25
¥280.1609
7004.0225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
416 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT75GT120JU3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 24V 5.0W
1:¥7.2998
10:¥5.989
100:¥4.9833
500:¥3.8533
1,400:¥3.4804
参考库存:4790
分立半导体
稳压二极管 150mW 7.5V Zener
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.92999
1,000:¥0.59212
4,000:¥0.44522
参考库存:6493
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt Dual
1:¥7.7631
10:¥6.8365
25:¥6.2037
100:¥5.4353
800:¥3.3222
2,400:查看
参考库存:4171
分立半导体
MOSFET 600V N-Channel MOSFET SuperFET II
1:¥19.9784
10:¥16.9839
100:¥13.6052
500:¥11.8311
参考库存:3680
分立半导体
整流器 600V 16A Std. Recovery
1:¥53.8671
10:¥48.4092
25:¥44.1039
100:¥39.8777
参考库存:3596
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