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分立半导体
RGTH00TS65GC11参考图片

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RGTH00TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥28.7359
28.7359
10
¥24.4306
244.306
100
¥21.131
2113.1
250
¥20.0575
5014.375
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
277 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH00TS65
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
85 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH00TS65
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,RGTH00TS65GC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.2996
10:¥2.7572
100:¥1.6837
1,000:¥1.2995
3,000:¥1.11418
参考库存:4802
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 1 Watt 5%
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.4012
500:¥1.1413
1,500:¥0.76049
4,500:查看
参考库存:5284
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.447
10:¥11.9102
100:¥9.4468
500:¥7.4467
1,000:¥5.9551
3,000:¥5.5144
参考库存:12941
分立半导体
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC89-6
1:¥3.0736
10:¥2.0453
100:¥1.3786
500:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.82942
参考库存:175743
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 1.0A 400 Volt 150ns
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥1.1978
500:¥0.96841
5,500:¥0.61472
11,000:查看
参考库存:6717
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