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分立半导体

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APT35GT120JU2

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库存:3,752(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥279.2343
279.2343
5
¥268.3298
1341.649
10
¥258.1824
2581.824
25
¥237.2774
5931.935
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
260 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT35GT120JU2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥20.0575
100:¥17.3681
250:¥16.4415
2,500:¥11.8311
5,000:查看
参考库存:12750
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肖特基二极管与整流器 NXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
480:¥41.8778
720:¥38.1149
1,200:¥33.2672
2,640:¥32.0468
参考库存:35898
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3,000:¥7.8422
6,000:¥7.5484
12,000:¥7.2659
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