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分立半导体
IGW60N60H3参考图片

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IGW60N60H3

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
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数量单价合计
1
¥51.7879
51.7879
10
¥46.7933
467.933
25
¥44.5672
1114.18
100
¥38.7251
3872.51
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
416 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW60N60H3FKSA1 IGW6N6H3XK SP000925524
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IGW60N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP HighG 40V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:4311
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
5,000:¥2.3843
参考库存:39978
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4351
1,000:¥1.07576
3,000:¥0.92999
参考库存:12016
分立半导体
MOSFET P-CH 60V 0.13Ohm 3A STripFET VI
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
3,000:¥3.4804
9,000:查看
参考库存:9486
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:15004
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