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分立半导体
FQP2P40-F080参考图片

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FQP2P40-F080

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库存:4,417(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6501
76.501
100
¥5.876
587.6
500
¥5.198
2599
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
- 10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
501 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP2P40
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.42 S
开发套件
-
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
75 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
FQP2P40_F080
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP2P40-F080的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 1.5V DRVE PCH MOSFET
1:¥3.616
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
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1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.80682
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分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:7563
分立半导体
SCR 100V 25A
1:¥14.9047
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.4524
参考库存:5035
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:22377
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