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分立半导体
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FQP8N90C

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数量单价合计
1
¥20.5886
20.5886
10
¥17.515
175.15
100
¥14.0572
1405.72
500
¥12.2944
6147.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
171 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP8N90C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5.5 S
下降时间
70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
FQP8N90C_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP8N90C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥580.8313
5:¥569.6104
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1:¥4.4522
10:¥2.5199
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1,000:¥0.82942
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1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.28476
参考库存:5705
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二极管 - 通用,功率,开关 200mA 75V
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
8,000:¥0.22261
24,000:查看
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1:¥68.3876
10:¥61.7771
25:¥58.9408
100:¥51.1777
参考库存:4164
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