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分立半导体
SIRA12DP-T1-GE3参考图片

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SIRA12DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
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库存：7,357(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥5.9664
59.664
100
¥4.5313
453.13
500
¥3.729
1864.5
3,000
¥3.729
11187
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
51 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SIRA12DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIRA12DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N3043D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥146.3011
200:¥134.244
500:¥127.7804
参考库存:32075
JANTXV1N4618C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥107.7342
134:¥107.7342
200:¥98.197
500:¥91.9029
1,000:¥84.298
参考库存:32078
JANTX2N3500L/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥141.0805
250:¥129.4754
500:¥123.2491
参考库存:32081
JAN1N3018BUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥118.7178
200:¥108.2653
500:¥101.2706
参考库存:32084
3EZ7.5D/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.8195
4,500:¥5.6048
9,000:¥5.3788
参考库存:32087
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