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分立半导体
IPB80P04P4L-06参考图片

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IPB80P04P4L-06

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
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库存:4,276(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.831
98.31
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.893
3446.5
1,000
¥5.7065
5706.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
104 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
88 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
44 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPB80P04P4L06ATMA1 IPB8P4P4L6XT SP000842046
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB80P04P4L-06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR New Input Thyristor - TO-247-e3
1:¥53.0196
10:¥43.957
100:¥36.1939
250:¥35.0413
500:¥31.4253
参考库存:4566
分立半导体
整流器 3A 300V ULTRAFAST RECTIF
1:¥16.0573
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.605
2,500:¥7.3563
5,000:查看
参考库存:6568
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 29A DPAK-2
1:¥6.2263
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.26
参考库存:5222
分立半导体
MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
1:¥13.447
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
1,000:¥6.6105
参考库存:6446
分立半导体
MOSFET TRANS MOSFET NCH 60V 0.25A 6PIN
1:¥3.2318
10:¥2.6781
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
8,000:¥1.00683
24,000:查看
参考库存:15079
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