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分立半导体
NTB25P06T4G参考图片

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NTB25P06T4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -60V -27.5A Pchannel
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数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.5484
3774.2
800
¥6.2489
4999.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
27.5 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.29 mm
系列
NTB25P06
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
190 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
72 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,NTB25P06T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 TO-247 Ultra Fast
1:¥45.7989
10:¥38.8833
100:¥33.7305
250:¥32.0468
500:¥28.7359
参考库存:6901
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.684
2,500:¥5.9438
5,000:查看
参考库存:6485
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
50:¥337.3276
100:¥291.766
250:¥274.2397
参考库存:3905
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
2,500:¥6.0229
5,000:查看
参考库存:21036
分立半导体
MOSFET N-CH Mosfet 60V 150A 8DSOP
1:¥13.9894
10:¥11.30
100:¥8.9948
500:¥7.91
5,000:¥5.8421
10,000:查看
参考库存:11641
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